設備：高溫高濕測試系統HTXB GR3-D

廠商：閱芯科技

用途：要用于功率半導體器件的環(huán)境老化試驗，比如 Si/SiC/GaN 材料的 IGBT/DIODE/MOSFET/HEMT/BJT/SCR 等器件的 H3TRB 試驗。

測試標準：GB/T4937-1995 IV，2 加速穩(wěn)態(tài)濕熱；JESD22-A101D Steady-State Temperature Humidity Bias Life Test；GJB 150.9A-2009；GJB 1621.7A-2006；GJB 1060.2-1991

技術指標：

l  最大工作電壓2000V

l  測試溫度：室溫-180℃

l  I_CES檢測范圍：0-98mA，分辨率0.1μA

l  濕度條件：10%-98%RH，空間均勻性＜5%RH

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